lauantai 8. lokakuuta 2011

HP arvioi että se pystyy tuomaan kilpailijan nykyisille Flash-muisteille jo 2013 käyttämällä uutta memristor-pohjaista ReRAM-muistia (Resistive Random Access Memory). Memristor-muistit ovat non-volatile tyyppisiä joten ne eivät menetä tilaansa virran katketessa. HP odottaa teknologian kehittyvän niin nopeasti, että uusi muistityyppi olisi kilpailija myös DRAM-muisteille jo 2014 tai viimeistään 2015, ja sen jälkeen edessä olisi SRAM:n korvaus. 
http://www.hardware.fi/uutiset/artikkeli.cfm/2011/10/08/hp_memristorit_korvavat_flash-muistin_2013

Memristor oli aikanaan puuttuva lenkki elektroniikan peruskomponenttien joukosta, joka tosin oli jo aikaisemmin ennustettu teoreettisilla symmetriasyillä.

Ladomme muistin suoraan prosessoripiirin päälle, ja koska dataa ei tarvitse lähettää piirin ulkopuolelle, suorituskykyparannus vastaa 20 vuotta Mooren Lain mukaista etenemistä. 
http://www.hardware.fi/uutiset/artikkeli.cfm/2011/10/08/hp_memristorit_korvavat_flash-muistin_2013

3-ulotteiset prosessorirakenteet mahdollistavat valtavat tehonlisäykset.

 

Ei kommentteja:

Lähetä kommentti